日前，中科院微电子所自主研发出超临界二氧化碳无损伤清洗设备。应用此设备对硅片进行清洗的颗粒明显减少，且平均粒径小于传统清洗的粒径。相对用等离子法清洗，该方法不会对硅片造成损伤，同时可减少工艺步骤，节省时间，提高工作效率。
     超临界二氧化碳无损伤清洗设备拥有良好的温度和压力控制系统，并配有远程智能化操作系统，是一个适合高校和科研机构的半导体工艺平台。该设备有望解决微电子行业清洗工艺中的许多难题，例如刻蚀以及灰化后高纵深比结构清洗、刻蚀以及灰化后多孔低介电材料清洗、清洗后干燥、半导体器件金属颗粒的清洗等。