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PI光刻胶是一种高性能、高精度的光刻胶,被广泛应用于微电子、光电子、MEMS等领域
PI无氧烘箱工艺的必要性:
PI光刻胶的预烘是将其涂覆在衬底上后,在特定温度下进行一段时间的烘千,使PI溶液中的溶剂挥发掉,PI形成一定的网状结构并增强其附着性。
PI无氧烘箱工艺要求(参考):
在低氧状态下使用
真空加热,升温至1xx℃
再温至1xx℃(约xh),保温约 30min;
继续升温至x00℃,视涂层厚度不同加热10-x0min
保温 约60min;
降温至100℃以下
PI无氧烘箱性能:
温度:室温+50~400℃
氧浓度:≤10ppm
真空度:1Torr
冷却装置:辅助降温
控制方式:可程式运行
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