大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件；我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制，帮助找出根本原因，并帮助 TI 采取措施防止故障模式。

   在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。

HAST高速老化寿命试验箱，半导体高加速温湿度试验机用途

   用于评估非气密性封装IC器件、金属材料等在湿度环境下的可靠性。通过温度、湿度、大气压力条件下应用于加速湿气的渗透，可通过外部保护材料（塑封料或封口），或在外部保护材料与金属传导材料之间界面。它采用了严格的温度，湿度，大气压、电压条件，该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。

HAST高速老化寿命试验箱，半导体高加速温湿度试验机参照标准

JESD22-A118

JESD22-A110

      通常选择HAST-96，即：130℃、85%RH、230KPa大气压，96hour测试时间。测试过程中，建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温，要保证结温不能过 高，并在测试过程中定期记录。结温推算方法参考《HTOL测试技术规范》